TRANSISTOR 2SC2655

Designador de tipo: 2SC2655

Material do transistor: Si

Polaridade: NPN

Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 0,9 W

Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 60 V

Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 50 V

Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5 V

Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 2 A

Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C

Frequência de transição (ft): 100 MHz

Capacitância do coletor (Cc): 35 pF

Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 70

2SC2655 Transistor TOSHIBA de silício NPN tipo epitaxial (processo PCT) 2SC2655 Aplicações industriais Aplicações de amplificadores de potência Unidade: mm Aplicações de comutação de energia • Baixa tensão de saturação: VCE (sat) = 0,5 V (máx.) (IC = 1 A) • Alta dissipação de energia do coletor: PC = 900 mW • Comutação de alta velocidade: tstg = 1,0 μs (típico) • Complementar a 2SA1020. Máximo Absoluto