Designador de tipo: CS830
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de controle: N - canal
Dissipação máxima de energia (Pd): 87,5 W
Tensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 500 V
Tensão máxima da porta-fonte | Vgs |: 30 V
Tensão máxima de limiar de porta | Vgs (th) |: 4 V
Corrente máxima de drenagem | Id |: 5 A
Temperatura máxima de junção (Tj): 150 ° C
Tempo de subida (tr): 40 nS
Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 85 pF
Resistência máxima no estado da fonte de drenagem (Rds): 1,4 Ohm
Peso Líquido: 0,010Kg
Peso Bruto: 0,010Kg
